特許
J-GLOBAL ID:201803002312977999

二次元金属錯体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 紺野 昭男 ,  井波 実 ,  伊藤 武泰 ,  田村 慶政
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-129293
公開番号(公開出願番号):特開2018-002623
出願日: 2016年06月29日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】白金と比較して安価であり、水素発生触媒能を有し、所望の酸化還元特性を有し、多数の空孔を備える物質及び/又は材料の提供。【解決手段】2座で配位する箇所を3箇所以上有し、前記2座のうちの少なくとも1座がNHである配位子;及び金属核M(Mは、Ni、Co、Cu、Pt、Pd、Fe、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Ag、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種である)を有する金属錯体であって、前記金属錯体を実質的に形成する前記配位子の実質的に全ての原子と前記金属核とが略同一平面上に存在する、二次元金属錯体により、上記課題を解決する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
2座で配位する箇所を3箇所以上有し、前記2座のうちの少なくとも1座がNHである配位子;及び金属核M(Mは、Ni、Co、Cu、Pt、Pd、Fe、Mn、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Ag、及びAuからなる群から選ばれる少なくとも1種である)を有する金属錯体であって、前記金属錯体を実質的に形成する前記配位子の実質的に全ての原子と前記金属核とが略同一平面上に存在する、二次元金属錯体。
IPC (9件):
C07C 211/50 ,  C07F 15/04 ,  C07F 15/06 ,  C07C 321/26 ,  H01G 11/02 ,  H01G 11/30 ,  H01G 11/86 ,  C25B 11/06 ,  C25B 1/04
FI (9件):
C07C211/50 ,  C07F15/04 ,  C07F15/06 ,  C07C321/26 ,  H01G11/02 ,  H01G11/30 ,  H01G11/86 ,  C25B11/06 Z ,  C25B1/04
Fターム (27件):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006TA04 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78 ,  4H050WB15 ,  4H050WB23 ,  4K011AA69 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BA17 ,  4K021BB03 ,  4K021DA13 ,  5E078AA01 ,  5E078AA02 ,  5E078AA14 ,  5E078AA15 ,  5E078AB02 ,  5E078AB03 ,  5E078BA02 ,  5E078BA30 ,  5E078BB30 ,  5E078DA02 ,  5E078LA08
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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