特許

J-GLOBAL ID：202303019969873417

多孔質SnO2系半導体ガスセンサ

発明者： 兵頭 健生 ,  清水 康博 ,  鎌田 海 ,  上田 太郎 ,  渡来 壮一朗 ,  井澤 邦之
出願人/特許権者： 国立大学法人 長崎大学 ,  フィガロ技研株式会社
代理人 (2件)： 塩入 明 ,  塩入 みか
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-087582
公開番号（公開出願番号）：特開2023-175237
出願日： 2022年05月30日
公開日（公表日）： 2023年12月12日
要約：

【構成】 ポリメチルメタクリレートの微粒子等をテンプレートとし、噴霧熱分解法により、CuOxとAuとが粒子の内部にまで担持され、かつ直径が10-50nmの細孔が表面に存在する、多孔質SnO 2 系粒子を調製する。SnO 2 系粒子の膜を支持体上に成膜し、膜の励起手段と、膜の抵抗値を測定する電極とを設け、ガスセンサとする。 【効果】 極微量のVOCsを検出できる。 【選択図】 図11

請求項（抜粋）：

p型金属酸化物が粒子内部にまで担持され、かつ直径が10-50nmの細孔が表面に存在する、多孔質SnO 2 系粒子の膜と、 前記膜の支持体と、前記膜の励起手段と、前記膜の抵抗値を測定する電極とを有する、多孔質SnO 2 系半導体ガスセンサ。

IPC (2件)：

G01N 27/12 ,  G01N 27/04

FI (3件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/04 F

Fターム (16件)：

2G046AA26 ,  2G046BA01 ,  2G046FB02 ,  2G046FC02 ,  2G046FC06 ,  2G046FE11 ,  2G046FE39 ,  2G060AA01 ,  2G060AB15 ,  2G060AE19 ,  2G060AF07 ,  2G060AG10 ,  2G060BA01 ,  2G060BB08 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01