特許

J-GLOBAL ID：202403007315917775

放射性フッ素標識化合物の製造方法及び放射性医薬組成物の製造方法

発明者： 久下 裕司 ,  阿保 憲史 ,  桐生 真登
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学 ,  日本メジフィジックス株式会社
代理人 (1件)： 弁理士法人翔和国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-151375
公開番号（公開出願番号）：特開2020-033341
特許番号：特許第7424574号
出願日： 2019年08月21日
公開日（公表日）： 2020年03月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】放射性フッ化物イオンを陰イオン交換カラムに保持させる保持工程と、保持された前記放射性フッ化物イオンを、溶媒を含む溶離液を用いて前記陰イオン交換カラムから溶出させる溶出工程と、前記放射性フッ化物イオンと標識前駆体化合物とを前記溶媒を含む溶剤存在下に反応させる放射性フッ素化工程とを備え、 前記放射性フッ素化工程を、前記溶剤を蒸散させながら行う、放射性フッ素標識化合物の製造方法。

IPC (4件)：

C07B 59/00 ( 200 6.01) ,  C07D 233/91 ( 200 6.01) ,  C07D 401/14 ( 200 6.01) ,  C07H 19/073 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C07B 59/00 ,  C07D 233/91 ,  C07D 401/14 ,  C07H 19/073

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 放射化学のためのデジタル微小流体プラットフォーム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2012-534166   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 合成装置および反応モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-009283   出願人：日本メジフィジックス株式会社, エヌ・エム・ピイビジネスサポート株式会社