特許

J-GLOBAL ID：202403011260487188

絶縁スペーサ及び絶縁スペーサの製造方法

発明者： 岡本 健次 ,  増井 秀好 ,  加藤 克巳
出願人/特許権者： 富士電機株式会社 ,  独立行政法人国立高等専門学校機構
代理人 (4件)： 青木 宏義 ,  天田 昌行 ,  岡田 喜雅 ,  北川 雅章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-029442
公開番号（公開出願番号）：特開2024-122098
出願日： 2023年02月28日
公開日（公表日）： 2024年09月09日
要約：

【課題】絶縁信頼性を良好に保つことができる絶縁スペーサを提供すること。 【解決手段】絶縁スペーサ(3)は、中心導体(11)を支持して中心導体の周囲に設けられ、中心導体と軸(A)方向が同一とされるコーン形状のスペーサ本体(12)を備えている。スペーサ本体は、軸方向に並ぶ頂部側領域(15)、中間領域(14)、底部側領域(16)により形成される。頂部側領域及び底部側領域はそれぞれ一定の比誘電率、頂部側領域は底部側領域より高い比誘電率とされる。中間領域は、頂部側領域との頂部側界面(14a)にて頂部側領域と同一の比誘電率に設定され、底部側領域との底部側界面(14b)にて底部側領域と同一の比誘電率に設定される。中間領域は、底部側界面から頂部側界面に向かって比誘電率が一定の上昇割合で高くなる。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

中心導体を支持して該中心導体の周囲に設けられ、該中心導体と軸方向が同一とされるコーン形状のスペーサ本体を備えた絶縁スペーサであって、 前記スペーサ本体は、前記軸方向の中間を形成する中間領域と、 前記中間領域から前記コーン形状の頂部に亘る範囲を形成する頂部側領域と、 前記中間領域から前記コーン形状の底部に亘る範囲を形成する底部側領域と、により形成され、 前記頂部側領域及び前記底部側領域はそれぞれ一定の比誘電率とされ、 前記頂部側領域は前記底部側領域より高い比誘電率とされ、 前記中間領域は、前記頂部側領域との界面にて該頂部側領域と同一の比誘電率に設定され、前記底部側領域との界面にて該底部側領域と同一の比誘電率に設定され、前記底部側領域との界面から前記頂部側領域との界面に向かって比誘電率が一定の上昇割合で高くなることを特徴とする絶縁スペーサ。

IPC (1件)：

H01B 17/56

FI (1件)：

H01B17/56 D

Fターム (11件)：

5G333AA09 ,  5G333AB05 ,  5G333BA01 ,  5G333CA01 ,  5G333DA03 ,  5G333DA04 ,  5G333DA05 ,  5G333DA21 ,  5G333DA22 ,  5G333DA23 ,  5G333DA25

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁スペーサおよびガス絶縁機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-144288   出願人：株式会社日立製作所