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J-GLOBAL ID：200901011502598597
Update date: Sep. 14, 2022
Inoue Naohisa
イノウエ ナオヒサ | Inoue Naohisa
Affiliation and department：
Research field (4)：
Electronic devices and equipment
, Crystal engineering
, Applied materials
, Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords (6)：
半導体物性
, 量子効果デバイス
, 結晶成長
, Semiconductor
, Quantum Mechanical Effect Device
, Crystal Growth
Research theme for competitive and other funds (6)：
MISC (229)：
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夏目 新, 森本 恵造, 井上 直久. ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl2O3(0001)基板上へのGaN直接成長(共著). 真空. 2000. 43. 9. 897-899
-
分子線成長InGaAs/GaAsSbタイプ(]G0002[)多重量子井戸層のフォトルミネッセンスのドーピング依存性(共著). 真空. 2000. 43. 104-107
-
シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス(共著). 真空. 2000. 42. 3. 349-352
-
Grown-in Defects in Czochralski Silicon. Recent Research Developments in Crystal Growth Reserch Transworld Research Network(trivandrum, India). 2000
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Large Lateral Growth Rate in GaN Grown Directly on Al2O3(0001)Substrate by Two-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy(共著). Sept. 24-27, Nagoya. 2000
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Books (2)：
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「結晶成長ハンドブック-第7編3.3.3電子線、第8編4.2電子顕微鏡によるMBE成長表面観察」
結晶成長ハンドブック 共立出版 1995
-
In-situ Scanning Electron Microscopy of GaAs Molecular Beam Epitaxy
1995
Works (2)：
-
成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション
1997 - 2000
-
シリコン中結晶欠陥の挙動解析に関する研究
2000 -
Education (4)：
- - 1973 The University of Tokyo
- - 1973 The University of Tokyo Graduate School, Division of Engineering
- - 1968 The University of Tokyo The Faculty of Engineering
- - 1968 The University of Tokyo Faculty of Engineering
Professional career (1)：
Committee career (3)：
- 1996 - 表面科学会 評議員,関西支部役員
- 1986 - 1994 日本結晶学会 編集委員
- 1980 - 1985 応用物理学会 関西支部評議員,薄網表面分科会幹事,結晶工学分科会幹事,シリコンテクノロジー
Association Membership(s) (5)：
日本結晶学会
, 表面科学会
, 日本物理学会
, 結晶成長学会
, 応用物理学会
