Rchr
J-GLOBAL ID：200901062540285806   Update date: Mar. 24, 2024

Kazuhiko Shimomura

シモムラ カズヒコ | Kazuhiko Shimomura
Affiliation and department：
Sophia University Faculty of Science and Technology, Department of Engineering and Applied Sciences

About Sophia University Faculty of Science and Technology, Department of Engineering and Applied Sciences


Job title： Professor
Other affiliations (1)：
  • Sophia University  Chairperson of the Master's(Doctoral) Program in Science and Technology
Homepage URL  (1)： http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
Research field  (2)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering
Research keywords  (13)： 半導体レーザ ,  シリコンフォトニクス ,  Wavelength Demultiplexer ,  All Optical Switch ,  Optical Swicth ,  Optical Device ,  Opto-electronic Device ,  Quantum Dot ,  Selective Area Growth ,  MOVPE ,  Semiconductor Crystal Growth ,  Optical Interconnection ,  Photonic Integrated Circuits
Research theme for competitive and other funds  (31)：
  • 2021 - 2024 ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究
  • 2018 - 2022 人工葉の創成とその光化学変換
  • 2018 - 2021 Hybrid integration technique on silicon platform and crystal growth on InP/Si bonding substrate
  • 2015 - 2018 Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits
  • 2016 - 2018 Siを基板とするInGaAsP/InPの1.5μm帯集積レーザの研究
Show all
Papers (231)：
  • G.K. Periyanayagam, K. Shimomura. Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate. Physica Status Solidi A. 2024. 2300677-1-2300677-6
  • L. Zhao, K. Agata, R. Yada, J. Zhang, K. Shimomura. Numerical simulation of waveguide propagation loss on directly bonded InP/Si substrate. Compound Semiconductor Week 2023 (CSW 2023). 2023. WeA3-5
  • R. Yada, K. Agata, L. Zhao, S. Ito, S. Aoki, K. Simomura. Well layer thickness dependence on threshold current of SCH-MQW laser diode grown on InP/Si substrate. 28th International Semiconductor Laser Conference. 2022. TuP-25
  • L. Zhao, M. Sato, K. Shibukawa, S. Ito, K. Agata, K. Shimomura. Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform. Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022. 2022. CWP12B-02
  • G.K. Perlyanayagam, K. Shimomura. Numerical analysis and lasing characteristics of GaInAsP double-heterostructure lasers on InP/Si substrate. Journal of Electronic Materials. 2022. 51. 5110-5119
ｍore...
MISC (14)：
ｍore...
Patents (6)：
  • 半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法
  • 半導体装置
  • 半導体装置
  • 光分波フィルタ
  • 波長分波器およびそれを用いた波長分波スイッチ
ｍore...
Books (4)：
  • 次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
    技術情報協会 2022 ISBN:9784861049019
  • 『量子ドット材料の技術と応用展開 ディスプレイ・照明・バイオ応用から太陽電池まで』「第5章第4節 量子ドットレーザ」
    株式会社 情報機構 2017 ISBN:9784865021349
  • 『量子ドットエレクトロニクスの最前線』「第2章第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED」
    エヌ・ティー・エス 2011 ISBN:9784860433765
  • Photonics based on wavelength integration and manipulation (IPAP books, 2)
    Institute of Pure and Applied Physics 2005 ISBN:4900526193
Lectures and oral presentations  (307)：
  • InP/Si基板上GaInAsP半導体レーザの利得特性の測定
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性(II)
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • InP/Si基板上SCH - MQW レーザの散乱損失を考慮した低しきい値構造の検討
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • ガスアウトチャネルを有する直接貼付InP/Si基板上GaInAsP系半導体レーザの発振特性
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • 直接貼付InP/Si基板のボイドによる導波損失の数値計算(II)
    (第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
ｍore...
Professional career (1)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
Work history (1)：
  • 1991/04/01 - 1992/03/31 School of Engineering, Tokyo Institute of Technology
Association Membership(s) (3)：
電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  IEEE
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM