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J-GLOBAL ID:200901040446671898
Update date: Apr. 26, 2020
Iikawa Hirofumi
イイカワ ヒロフミ | Iikawa Hirofumi
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旧所属 大阪府立大学 大学院工学研究科 電気・情報系専攻 電子物理工学分野
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その他
Homepage URL (1):
http://tokachi.riast.osakafu-u.ac.jp/%7Esentan3/home.html
Research keywords (1):
半導体Si結晶/SIMOX/SiC/電子-光融合デバイス
Research theme for competitive and other funds (3):
SOI基板Si層のSiC層への変性とその成長
Si(111)によるSIMOX基板の作製と評価
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MISC (2):
H. Iikawa, M, Nakao K. Izumi. Dose-Window Dependence on Si Crystal Orientation in SIMOX Substrate Formation. Journal of Materials Research, 19, pp.3607-3613 (2004). 2004
H Iikawa, M Nakao, B Gruska, K Izumi. High-precision analysis of oxygen depth profile in O-16(+)-implanted silicon substrates by spectroscopic ellipsometry. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2004. 151. 5. G373-G376
Education (1):
- 2001 Shizuoka Institute of Science and Technology
Awards (2):
2004 - Best Student Award(IEEE EDS Kansai Chapter )
2004 - 応用物理学会講演奨励賞(応用物理学会)
Association Membership(s) (1):
応用物理学会
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