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J-GLOBAL ID:200901051751375893   Update date: Aug. 28, 2020

Maeda Takayoshi

マエダ タカヨシ | Maeda Takayoshi
Affiliation and department:
Job title: Associate professor
Research field  (2): Crystal engineering ,  Applied materials
Research keywords  (13): 光学材料 ,  電子材料 ,  薄膜物性 ,  気相成長 ,  MO-VPE ,  MOCVD ,  エピタキシャル結晶成長 ,  エピタキシャル ,  結晶成長 ,  半導体薄膜 ,  薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体
Research theme for competitive and other funds  (2):
  • 1981 - 高品質IIIV族化合物半導体薄膜のMOVPE成長
  • -
MISC (94):
  • (Mga02) Growth of Low Dislocation GaN Layer by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets. First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor, Hyogo, Japan. 2003
  • (Mga02) Growth of Low Dislocation GaN Layer by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets. First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor, Hyogo, Japan. 2003
  • 白色LED照明システム技術の応用と将来展望(共著). 田口常正監修(シーエムシー出版). 2003. 77-86
  • 窒化物半導体材料の技術動向(共著). (財)金属系材料研究開発センター(古河テクノリサーチ株式会社編). 2003. 88-96
  • (28p-V-2) FACELOにより作製したGaNのX線による結晶性の評価. 第50回応用物理学会学術講演会、神奈川大学、横浜市. 2003
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Patents (43):
  • METHOD OF MANUFACURING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCT
  • METHOD FOR FABRICATING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR
  • GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
  • GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
  • GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
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Works (3):
  • 高効率電光変換素子の開発「21世紀のあかり」
    1998 - 2002
  • 超高輝度青色LED用エピ基板
    1998 - 2001
  • 選択成長による埋め込み電極を有するSIT電子素子の動作確認
    1997 - 2000
Education (2):
  • - 1973 Osaka University
  • - 1968 Osaka University
Professional career (1):
  • 大阪大学工学博士 (大阪大学)
Work history (6):
  • 1989 - 2003 同 筑波研究所 主席研究員
  • 2003 - - 鳥取大学 地域共同研究センター 助教授
  • 1999 - 2001 Tohoku University Institute for Materials Research
  • 1982 - 1984 同 中央研究所 主任研究員
  • 1977 - 1982 同 農薬研究部 研究員
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Association Membership(s) (2):
日本化学会 ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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