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J-GLOBAL ID：200901051751375893
Update date: Aug. 28, 2020
Maeda Takayoshi
マエダ タカヨシ | Maeda Takayoshi
Affiliation and department：
Job title：
Associate professor
Research field (2)：
Crystal engineering
, Applied materials
Research keywords (13)：
光学材料
, 電子材料
, 薄膜物性
, 気相成長
, MO-VPE
, MOCVD
, エピタキシャル結晶成長
, エピタキシャル
, 結晶成長
, 半導体薄膜
, 薄膜
, 化合物半導体
, 半導体
Research theme for competitive and other funds (2)：
- 1981 - 高品質IIIV族化合物半導体薄膜のMOVPE成長
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MISC (94)：
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(Mga02) Growth of Low Dislocation GaN Layer by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets. First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor, Hyogo, Japan. 2003
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(Mga02) Growth of Low Dislocation GaN Layer by Advanced FACELO Technique with Masking Side-facets. First Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductor, Hyogo, Japan. 2003
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白色LED照明システム技術の応用と将来展望(共著). 田口常正監修(シーエムシー出版). 2003. 77-86
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窒化物半導体材料の技術動向(共著). (財)金属系材料研究開発センター(古河テクノリサーチ株式会社編). 2003. 88-96
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(28p-V-2) FACELOにより作製したGaNのX線による結晶性の評価. 第50回応用物理学会学術講演会、神奈川大学、横浜市. 2003
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Patents (43)：
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METHOD OF MANUFACURING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCT
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METHOD FOR FABRICATING III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR
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GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
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GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
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GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
ｍore...
Works (3)：
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高効率電光変換素子の開発「21世紀のあかり」
1998 - 2002
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超高輝度青色LED用エピ基板
1998 - 2001
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選択成長による埋め込み電極を有するSIT電子素子の動作確認
1997 - 2000
Education (2)：
- - 1973 Osaka University
- - 1968 Osaka University School of Engineering
Professional career (1)：
Work history (6)：
Association Membership(s) (2)：
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