Art

J-GLOBAL ID：200902251962215496   Reference number：03A0300716

FACELOにより作製したGaNのX線による結晶性の評価

Author (5)： IECHIKA YASUSHI (住友化学 筑波研) ,  SHIMIZU MASAYA (住友化学 筑波研) ,  MAEDA TAKAYOSHI (住友化学 筑波研) ,  MIYAKE HIDETO (三重大 工) ,  HIRAMATSU KAZUMASA (三重大 工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 50th  Issue： 1  Page： 401  Publication year： Mar. 27, 2003 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： FACELO ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0300716&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Crystal structure of other inorganic compounds  (BK07030J)

Terms in the title (5)： 作製 ,  GaN ,  X線 ,  結晶性 ,  評価