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J-GLOBAL ID：200901062540285806   Update date: Nov. 05, 2024

Kazuhiko Shimomura

シモムラ カズヒコ | Kazuhiko Shimomura
Affiliation and department：
Sophia University Faculty of Science and Technology, Department of Engineering and Applied Sciences

About Sophia University Faculty of Science and Technology, Department of Engineering and Applied Sciences


Job title： Professor
Other affiliations (1)：
  • Sophia University  Chairperson of the Master's(Doctoral) Program in Science and Technology
Homepage URL  (1)： http://pweb.cc.sophia.ac.jp/shimolab/
Research field  (2)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering
Research keywords  (13)： 半導体レーザ ,  シリコンフォトニクス ,  Wavelength Demultiplexer ,  All Optical Switch ,  Optical Swicth ,  Optical Device ,  Opto-electronic Device ,  Quantum Dot ,  Selective Area Growth ,  MOVPE ,  Semiconductor Crystal Growth ,  Optical Interconnection ,  Photonic Integrated Circuits
Research theme for competitive and other funds  (31)：
  • 2021 - 2024 ハイブリッドシリコン集積回路による光通信用送信サブシステム構築に関する研究
  • 2018 - 2022 人工葉の創成とその光化学変換
  • 2018 - 2021 Hybrid integration technique on silicon platform and crystal growth on InP/Si bonding substrate
  • 2015 - 2018 Integration of III-V quatum dots laser on silicon photonic circuits
  • 2016 - 2018 Siを基板とするInGaAsP/InPの1.5μm帯集積レーザの研究
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Papers (238)：
  • L. Zhao, G.K.Periyanayagam, R. Yada, J. Zhang, M. Kuroi, K. Shimomura. Lasing characteristics of GaInAsP LD on directly bonded InP/Si substrates with a gas out channel. Physica Status Solidi A. 2024. 2400652-1-2400652-6
  • Liang Zhao, Koji Agata, Ryosuke Yada, Kazuhiko Shimomura. Numerical Simulation of Waveguide Propagation Loss on Directly Bonded InP/Si Substrate. Journal of Electronic Materials. 2024
  • G.K. Periyanayagam, K. Shimomura. Gain coefficient comparison between Silicon and InP laser diode substrate. Physica Status Solidi A. 2024. 2300677-1-2300677-6
  • R. Yada, K. Agata, L. Zhao, S. Ito, S. Aoki, K. Simomura. Well layer thickness dependence on threshold current of SCH-MQW laser diode grown on InP/Si substrate. 28th International Semiconductor Laser Conference. 2022. TuP-25
  • L. Zhao, M. Sato, K. Shibukawa, S. Ito, K. Agata, K. Shimomura. Annealing sequence dependence of directly bonded InP/Si substrate for GaInAsP LDs on silicon platform. Conference on Lasers and Electro-Optics PacificRim 2022. 2022. CWP12B-02
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MISC (14)：
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Patents (6)：
  • 半導体装置、テンプレート基板、半導体装置の製造方法
  • 半導体装置
  • 半導体装置
  • 光分波フィルタ
  • 波長分波器およびそれを用いた波長分波スイッチ
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Books (4)：
  • 次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
    技術情報協会 2022 ISBN:9784861049019
  • 『量子ドット材料の技術と応用展開 ディスプレイ・照明・バイオ応用から太陽電池まで』「第5章第4節 量子ドットレーザ」
    株式会社 情報機構 2017 ISBN:9784865021349
  • 『量子ドットエレクトロニクスの最前線』「第2章第5節 MOVPE選択成長とダブルキャップ法を用いた広帯域量子ドットLED」
    エヌ・ティー・エス 2011 ISBN:9784860433765
  • Photonics based on wavelength integration and manipulation (IPAP books, 2)
    Institute of Pure and Applied Physics 2005 ISBN:4900526193
Lectures and oral presentations  (313)：
  • InP/Si基板上SCH - MQW レーザの井戸層厚とボイド密度依存性
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • 人工葉実用化に向けたInP太陽電池の光-電力変換特性の検討
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • 親水性直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCH-MQWレーザの発振特性
    (第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
  • Lasing characteristics of GaInAsP LD on directly bonded InP/Si substrates with gas out channel
    (2024)
  • Lasing characteristics of GaInAsP SCH-MQW laser diodes grown on hydrophilic bonded InP-Silicon substrat
    (21st International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE XXI) 2024)
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Professional career (1)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
Work history (1)：
  • 1991/04/01 - 1992/03/31 School of Engineering, Tokyo Institute of Technology
Association Membership(s) (3)：
電子情報通信学会 ,  応用物理学会 ,  IEEE
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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