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J-GLOBAL ID：200901063361008375   Update date: Aug. 20, 2022

Tomohisa Mizuno

Tomohisa Mizuno
Affiliation and department：
Kanagawa University Faculty of Science Department of Mathematics and Physics

About Kanagawa University Faculty of Science Department of Mathematics and Physics


Job title： Professor
Homepage URL  (1)： https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/mizuno/
Research field  (2)： Nanostructure physics ,  Electrical power engineering
Research theme for competitive and other funds  (10)：
  • 2004 - 現在 新機能半導体基板の開発と,ナノ領域での半導体素子の研究/開発及びその電子輸送現象の解明
  • 2004 - 現在 新機能半導体基板の開発と,ナノ領域での半導体素子の研究/開発及びその電子輸送現象の解明
  • 2018 - 2021 PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究
  • 2017 - 2020 炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究
  • 2013 - 2016 金属仕事関数誘起高効率シリコンソーラーセルの研究
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Papers (164)：
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Patents (35)：
  • 半導体装置及びその製造方法
  • 電界効果トランジスタ及びこれを用いた集積化論理回路
  • 半導体装置及びその製造方法
  • 半導体装置
  • 半導体装置
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Lectures and oral presentations  (102)：
  • 多結晶SiとアモルファスSi基板への ホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成
    (第79回応用物理学会秋季学 術講演会 2018)
  • バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性
    (第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018)
  • SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation
    (International Conference on Solid State Devices and Materials 2018)
  • SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices
    (IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2018)
  • SiC Nano-Dots in Bulk-Si SubstrateFabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique
    (SSDM 2017)
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Works (30)：
  • 12万倍に増えた!進化する記録メディア
    2007 -
  • (110)面ひずみ及び無ひずみ素子における正孔移動度特性
    2004 -
  • 高性能ひずみSOI-CMOS素子
    水野智久, 杉山直治, 手塚勉, 沼田敏典, 高木信一 2002 -
  • SiGe2層構造化によるひずみSOI-MOSFETの正孔移動度向上
    2001 -
  • ITOX法を用いた高品質/応力緩和SGOI基板技術
    2001 -
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Education (3)：
  • 1981 - 1982 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻
  • 1979 - 1981 名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻
  • 1974 - 1979 Nagoya University School of Science Department of Physics
Professional career (2)：
  • 修士 (名古屋大学大学院)
  • 工学博士 (名古屋大学)
Work history (3)：
  • 2008/07 - 2013/03 産業技術総合研究所 客員研究員
  • 2004/04 - 2008/03 産業技術総合研究所 客員研究員
  • 1999/04 - 2008/03 Lecturer
Awards (8)：
  • 2014/09 - SSDM Award
  • 2004/12 - IEEE Electron Devices Society George Smith Award
  • 2004/03 - MIRAIプロジェクト優秀賞受賞(ひずみSOI素子の移動度決定に対して)
  • 2004/02 - IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award受賞(ひずみSOI技術に対して)
  • 2003/04 - MIRAIプロジェクト最優秀賞受賞(ひずみSOIのCMOS回路実証に対して)
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Association Membership(s) (4)：
日本応用物理学会 ,  IEEE ,  日本物理学会 ,  AIP
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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