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J-GLOBAL ID：201802253568196452   Reference number：18A0910863

Nano-SiC region formation in (100) Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C⁺-ion implantation process to improve photoluminescence intensity

(100)Siオンインシュレータ基板におけるナノSiC領域の形成:フォトルミネッセンス強度向上のためのホットC⁺イオン注入プロセスの最適化

Author (7)： MIZUNO Tomohisa (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  OMATA Yuhsuke (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  KANAZAWA Rikito (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  IGUCHI Yusuke (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  NAKADA Shinji (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  AOKI Takashi (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  SASAKI Tomokazu (Toshiba Nanoanalysis Corp., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 4S  Page： 04FB03.1-04FB03.9  Publication year： Apr. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *printed board ,  *silicon carbide ,  *photoluminescence ,  *Carbon ,  *ion implantation ,  spectral line shift ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  simulation ,  *tomography ,  *SOI substrate ,  Raman shift ,  Monte Carlo simulation
Semi thesaurus term： *atom probe tomography

JST classification (2)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (9)： Si ,  インシュレータ基板 ,  SiC ,  フォトルミネッセンス ,  強度向上 ,  C+ ,  イオン注入 ,  プロセス ,  最適化