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J-GLOBAL ID：200901089765976137
Update date: Sep. 30, 2024
Ohmi Hiromasa
オオミ ヒロマサ | Ohmi Hiromasa
Affiliation and department：
Homepage URL (1)：
http://www-ms.prec.eng.osaka-u.ac.jp/
Research field (5)：
Basic plasma science
, Electric/electronic material engineering
, Manufacturing and production engineering
, Optical engineering and photonics
, Thin-film surfaces and interfaces
Research keywords (10)：
表面・界面物性
, 薄膜工学
, 電気材料工学
, 電子
, 量子光工学(レーザ)
, 応用光学
, Surface and Interface
, electronics material
, Quantum Optics(Laser)
, Applied Optics
Research theme for competitive and other funds (45)：
- 2024 - 2027 Development of a smart manufacturing process for ultrathin crystalline Si solar cell using hydrogen plasma
- - 2024 異種材接合に向けた高密度・非平衡プラズマによる金属表面処理技術の開発
- - 2023 省資源・省エネ型単結晶ダイヤモンド合成プロセスの開発
- 2021 - 2022 Creation of infrared-antireflection Ge surface using high-density hydrogen plasma
- 2016 - 2019 Development of chemical-free and sophisticated manufacturing process for semiconductor substrate through hydrogen cycle
- 2015 - 2017 Development of soft process of dimensional transformation for Si by non-equilibrium high-pressure hydrogen plasma
- 2013 - 2016 Direct formation of the high-quality nanowire Si from metallurgical Si source based on the plasma and nanotechnology science
- 2013 - 2015 Synthesis of industrial diamond film from woody biomass feedstock at low temperature and normal pressure
- 2015 - プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成
- 2010 - 2014 Atmospheric-pressure plasma processes for high-rate film formation applicable for thin crystalline Si solar cells
- 2014 - プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成
- 2013 - プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成
- 2009 - 2011 Development of eco-friendly surface treatment technique for photovoltaic crystalline Si substrate by using fluorine resigns
- 2009 - 2010 大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発
- 2010 - 誘電体バリア放電によるプラズマ処理技術の検討
- 2010 - 大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発
- 2010 - 大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発
- 2007 - 2009 Development and application of totally low-temperature semiconductor process using atmospheric-pressure plasma
- 2009 - 大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発
- 2009 - 大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用
- 2008 - 大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用
- 2008 - 低温形成半導体薄膜を用いたセンサープロセス・デバイスの開発
- 2008 - 大気圧プラズマによるアクリル樹脂表面機能化の研究
- 2006 - 2007 インライン対応シリコン低温選択エビ技術の開発
- 2006 - 2007 大気圧水素プラズマと固体原料を用いたIV族混晶半導体薄膜の高能率形成法の開発
- 2007 - 大気圧水素プラズマと固体原料を用いたIV族混晶半導体薄膜の高能率形成法の開発
- 2007 - 低温形成半導体薄膜を用いたセンサープロセス・デバイスの開発
- 2007 - 大気圧プラズマによる半導体用金属窒化物の成膜
- 2007 - 大気圧プラズマによるアクリル樹脂表面機能化の研究
- 2007 - 大気圧プラズマCVDによる窒化物薄膜の低温形成法の研究
- 2007 - インライン対応シリコン低温選択エピ技術の開発
- 2004 - 2006 Fabrication of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films by Controlling Nucleation Sites on Glass Substrates
- 2006 - インライン対応シリコン低温選択エピ技術の開発
- 2006 - ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
- 2006 - 大気圧水素プラズマと固体原料を用いたIV族混晶半導体薄膜の高能率形成法の開発
- 2004 - 2005 大気圧水素プラズマのみによるシリコン薄膜の形成
- 2005 - ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
- 2005 - 大気圧水素プラズマのみによるシリコン薄膜の形成
- 2002 - 2004 窒化物半導体による紫外光(UV)レーザへの発展
- 2004 - 原子論的生産技術の創出拠点
- 2003 - 原子論的生産技術の創出拠点
- 2002 - 完全表面の創成
- 大気圧プラズマを利用した高効率成膜法の開発
- 大気圧プラズマCVD法によるTFT用多結晶Siの作製に関する研究
- Deposition of Poly-Si for TFTs by using Atomospheric pressure PCVD.
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Papers (189)：
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Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi. High-rate etching of silicon oxide and nitride using narrow-gap high-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma. Journal of Physics D: Applied Physics. 2024. 57. 27. 275204-275204
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Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi. Role of O2 and N2 addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma. Physica Scripta. 2023. 98. 11. 115609-115609
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Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi. Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma. Journal of Applied Physics. 2023. 133. 16
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Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Seiya Takeda, Kiyoshi Yasutake. Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma. Journal of Applied Physics. 2022. 132. 10. 103302-103302
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Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi. Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3-27 kPa. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2022. 40. 3. 032801-032801
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MISC (72)：
Patents (28)：
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ガス生成方法およびエッチング装置
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プラズマ生成装置
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フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置
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エッチング装置及びエッチング方法
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金属膜形成装置及び金属膜形成方法
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Books (12)：
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超精密加工と表面科学 第2部2章3
大阪大学出版会 2014 ISBN:9784872594652
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Monthly DISPLAY
2013
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大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. (共著)
株式会社オプトロニクス社 2012
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大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成 「改訂版 大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 (共著)
サイエンス&テクノロジー株式会社 2012 ISBN:9784864280396
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大気圧プラズマの技術とプロセス開発
シーエムシー出版 2011 ISBN:9784781304076
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Works (5)：
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グローバルCOE 高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点
2008 -
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Center of Excellence for Atomically Controlled Fabrication Technology
2008 -
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大気圧水素プラズマのみによるSi薄膜の形成
2004 -
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ガラス基板表面の核形成点制御による大粒径多結晶薄膜形成法の開発
2004 -
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原子論的生産技術の創出拠点
2004 -
Education (1)：
Professional career (1)：
- (BLANK) (Osaka University)
Work history (1)：
- 2023/10 - 現在 Osaka University Graduate School of Engineering, Division of Engineering Physics Associate Professor
Committee career (1)：
- 2011/04 - 現在 精密工学会 超精密加工専門委員会 幹事
Awards (8)：
Association Membership(s) (5)：
精密工学会
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
, Japan Society for Precision Engineering
, THE INSTITUTE OF ELECTRICAL ENGINEERS OF JAPAN
