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J-GLOBAL ID：201002233486533495   Reference number：10A0224658

PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure

大気圧以下の圧力での狭ギャップVHFプラズマを用いたSiに対するペルフルオロカーボン(PFC)フリードライエッチング法

Author (4)： OHMI Hiromasa (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KISHIMOTO Kazuya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAKIUCHI Hiroaki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YASUTAKE Kiyoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 157  Issue： 2  Page： D85-D89  Publication year： 2010 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *plasma etching ,  *dry etching ,  *silicon ,  *fluorine ,  *polytetrafluoroethylene ,  perfluorocarbon ,  plasma ,  VHF plasma

JST classification (3)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other reactions of polymer  (CG03040H)

Terms in the title (7)： 大気圧 ,  ギャップ ,  VHFプラズマ ,  Si ,  ペルフルオロカーボン ,  PFC ,  ドライエッチング