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J-GLOBAL ID:200901097793932113
Update date: Jan. 23, 2024
Shirakashi Jun-ichi
Shirakashi Jun-ichi
Affiliation and department:
Job title:
Professor
Other affiliations (3):
Homepage URL (1):
https://www.tuat.ac.jp/~nanotech/index.htm
Research field (5):
Applied materials
, Nanostructure physics
, Electronic devices and equipment
, Electric/electronic material engineering
, Nano/micro-systems
Research keywords (6):
量子計算機
, 人工知能、機械学習
, イジング計算機、アニーリングマシン、FPGA
, ナノギャップ、原子接合、エレクトロマイグレーション
, ナノエレクトロニクス、単電子トランジスタ
, ナノテクノロジー、走査型プローブ顕微鏡
Research theme for competitive and other funds (23):
- 2018 - 2020 FPGAに実装された人工知能の支援による原子接合の作製技術と量子状態の制御
- 2015 - 2017 FPGAによるエレクトロマイグレーション原子の高速移動制御と原子接合構造の作製
- 2015 - 2016 リアルタイムOSによる時間確定型エレクトロマイグレーション制御系と単一原子駆動
- 2014 - 2014 ナノシリコン弾道電子源の還元効果を用いた薄膜堆積
- 2013 - 2014 ナノギャップでのエレクトロマイグレーションを利用した原子の移動操作制御手法の開発
- 2012 - 2014 エレクトロマイグレーションを用いた原子移動機構による強磁性単電子帯電構造の集積化
- 2013 - 2013 ナノシリコン弾道電子源の還元効果を用いた薄膜堆積
- 2012 - 2012 ナノシリコン弾道電子源の還元効果を用いた薄膜堆積
- 2010 - 2011 エレクトロマイグレーションによるナノギャップの原子移動制御と単電子機能発現
- 2008 - 2010 単電子帯電構造を用いた磁性ナノデバイスの作製とゲート電界による磁気抵抗の変調制御
- 2009 - 2009 ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス
- 2006 - 2009 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 -ポストスケーリングテクノロジー- 「ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス」
- 2008 - 2008 ナノ構造誘起物性の制御と新機能シリコンデバイス
- 2004 - 2006 トンネル磁気抵抗変調型強磁性単電子トランジスタメモリー技術の研究開発
- 2004 - 2006 トンネル磁気抵抗変調型強磁性単電子トランジスタメモリー技術の研究開発
- 2005 - 2005 シリコンナノエレクトロニクスの新展開 -ポストスケーリングテクノロジー-
- 2002 - 2004 ゲート電極により機能向上させた3端子型磁気メモリの設計・試作
- 2003 - 2003 強磁性材料を用いた単電子新機能素子の研究開発
- 2002 - 2003 強磁性単電子トランジスタ技術の研究開発
- 2001 - 2003 強磁性単電子デバイスファミリーの研究開発
- 2001 - 2003 プレーナ型強磁性トンネル接合を用いた集積磁気メモリの設計
- 2000 - 2001 走査型プローブ顕微鏡を用いた局所反応場制御リソグラフィー技術の開発
- 1998 - 2000 メタリックP形GaAsのナノ加工技術開発と単一正孔トランジスタへの展開
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Papers (184):
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Keita Sakai, Mamiko Yagi, Mitsuki Ito, Jun-ichi Shirakashi. Multiple connected artificial synapses based on electromigrated Au nanogaps. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2022. 40. 5. 053202-053202
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Keita Sakai, Mamiko Yagi, Mitsuki Ito, Jun-ichi Shirakashi. Memory properties of electromigrated Au nanogaps to realize reservoir computing. Applied Physics Letters. 2021. 119. 8. 084101-084101
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Keita Sakai, Tomomi Sato, Riku Kiyokawa, Ryoya Koyama, Mamiko Yagi, Mitsuki Ito, Jun-ichi Shirakashi. Gold nanogap-based artificial synapses. Japanese Journal of Applied Physics. 2020. 59. 5. 050601-050601
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T. Miki, M. Ito, Y. Hirata, Y. Kushitani, M. Shimada, J. Shirakashi. Computational Properties of Ising Spin Model on Spin Connection Parameters. 2019 IEEE 19th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO). 2019
-
M. Shimada, M. Ito, Y. Hirata, Y. Kushitani, T. Miki, J. Shirakashi. Calculation Behavior of 2D Ising Spin Computing with Different Spin Decision Logics. 2019 IEEE 19th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO). 2019
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MISC (204):
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Control of Magnetoresistance Properties of Lateral Ferromagnetic Tunnel Junctions and Fabrication/Integration of Ferromagnetic Single-Electron Transistors Using Electromigrated Nanogaps. 2013. 1-11
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Watari Kume, Yusuke Tomoda, Michinobu Hanada, Jun-ichi Shirakashi. Fabrication of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2010. 10. 11. 7239-7243
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So-ichiro Itami, Yusuke Tomoda, Ryu-taro Yasutake, Jun-ichi Shirakashi. Influence of Feedback Parameters on Resistance Control of Metal Nanowires by Stepwise Feedback-Controlled Electromigration. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2010. 10. 11. 7464-7468
-
Watari Kume, Yusuke Tomoda, Michinobu Hanada, Jun-ichi Shirakashi. Fabrication of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2010. 10. 11. 7239-7243
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So-ichiro Itami, Yusuke Tomoda, Ryu-taro Yasutake, Jun-ichi Shirakashi. Influence of Feedback Parameters on Resistance Control of Metal Nanowires by Stepwise Feedback-Controlled Electromigration. JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. 2010. 10. 11. 7464-7468
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Patents (5):
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直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
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強磁性単電子素子とこれを用いた記憶素子
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強磁性単電子素子
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強磁性トンネル接合メモリ素子
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窒化ガリウム系半導体素子の製造方法
Books (5):
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Nanoelectronic Device Applications Handbook, Chapter 13: Simultaneously Controlled Tuning of Tunneling Properties of Integrated Nanogaps Using Field-Emission-Induced Electromigration, Edited by James E. Morris & Krzysztof Iniewski.
CRC Press, Taylor and Francis Group, LLC. 2013
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Proceedings of International Conference NANOMEETING 2011, Physics, Chemistry and Application of Nanostructures -Review and Short Notes-, Single-Electron Transistors Fabricated by Field-Emission-Induced Electromigration
World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. 2011
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ナノシリコンの最新技術と応用展開(越田信義監修)第5章プロセス技術 第2節ナノシリコン構造形成SPM技術
シーエムシー出版 2010
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Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, Chapter-287: Nanofabrication Using Atomic Force Microscopy, Edited by Hari Singh Nalwa.
American Scientific Publishers 2010
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半導体用語大辞典(西沢潤一監修)
日刊工業新聞社 1999
Lectures and oral presentations (386):
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Fabrication of Au Atomic Junctions Using Artificial Intelligence Implemented on FPGA
(AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018), TF-WeP28, December 2-6, 2018, Waikoloa, HI, USA. 2018)
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Electromigration-Induced Structural Modification of Series-Parallel-Connected Au Nanogaps
(AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018), TF-WeP29, December 2-6, 2018, Waikoloa, HI, USA. 2018)
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Synaptic Plasticity and Learning Behaviors Mimicked in Electromigrated Au Nanogaps
(AVS Pacific Rim Symposium on Surfaces, Coatings and Interfaces (PacSurf 2018), NM-TuM03, December 2-6, 2018, Waikoloa, HI, USA. 2018)
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Multiple-Junction Single-Electron Charging in Electromigrated Series-Connected Nanogaps Operating at Room Temperature
(13th IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE NMDC 2018), T1-T2-1, October 14-17, 2018, Portland, OR, USA. 2018)
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Single-Electron Tunneling Effects in Electromigrated Coulomb Island between Au Nanogaps
(13th IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (IEEE NMDC 2018), T1-T2-2, October 14-17, 2018, Portland, OR, USA. 2018)
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Education (1):
- - 1995 Tokyo Institute of Technology Graduate School, Division of Science and Engineering 電気・電子工学専攻
Professional career (1):
- Ph.D (Tokyo Institute of Technology)
Awards (13):
- 2014/10/30 - 3M NANO SOCIETY Best Student Paper Award of The 4th International Conference on Manipulation, Manufacturing and Measurement on the Nanoscale (3M-NANO 2014)
- 2014/03/18 - 2014年第61回応用物理学会春季学術講演会 Poster Award 18p-PG10-4 「ナノギャップを利用した量子ポイントコンタクトの形成と制御」
- 2013/01/04 - IEEE Best Poster Award of The 5th IEEE International Nanoelectronics Conference (IEEE INEC 2013)
- 2012/03/24 - 電子情報通信学会 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ 平成24年電子デバイス研究会 論文発表奨励賞 SPMスクラッチ加工を用いた金属チャネル狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化
- 2010/03/03 - 電子情報通信学会 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ 平成22年電子デバイス研究会 論文発表奨励賞 電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーションによる単電子トランジスタの集積化
- 2009/09/03 - National Center for Nanoscience and Technology, China Best Poster Award of The International Conference on Nanoscience and Technology, China 2009 (ChinaNANO 2009)
- 2008/10/21 - TBN2008 Workshop Committee Poster Award of The 1st International Workshop on Tip-Based Nanofabrication (TBN2008)
- 2004/03/31 - 平成15年度電気学会 優秀論文発表賞 AFM局所酸化法による強磁性ナノ構造の作製・評価
- 2001/12 - 日本応用磁気学会 第1回優秀講演賞 27a-E-7「抵抗結合型強磁性単電子トランジスタ」
- 1999/09 - 第21回応用物理学会賞 学会賞B(奨励賞)
- 1998/03 - 応用物理学会 第3回講演奨励賞 4p-C-7「室温Nb/Nb oxide系単一電子トランジスタ」
- 1995/08/21 - 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 1995) Young Researcher Award
- 1995/06 - 日本工業新聞社 第9回独創性を拓く先端技術学生論文 文部大臣賞(最優秀論文) 金属的な半導体をベースに用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT) -夢のテラヘルツ、フェムト秒動作を狙う3端子電子デバイス-
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Association Membership(s) (3):
応用物理学会
, 日本磁気学会
, Materials Research Society
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