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J-GLOBAL ID：201002277287872881   Reference number：10A1152270

Fabriction of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration

電界放出誘起エレクトロマイグレーションを利用した単電子トランジスタの作成

Author (4)： KUME Watari (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TOMODA Yusuke (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  HANADA Michinobu (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SHIRAKASHI Jun-ichi (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (J Nanoscience Nanotechnology)
Volume： 10  Issue： 11  Page： 7239-7243  Publication year： Nov. 2010 
JST Material Number： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron transistor ,  *tunnel junction ,  *nickel ,  *planar structure(device) ,  current-voltage characteristic ,  Coulomb blockade ,  *electromigration ,  *field emission ,  activation

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 電界放出 ,  誘起 ,  エレクトロマイグレーション ,  単電子トランジスタ