Art

J-GLOBAL ID：200902001312848838   Reference number：89A0410192

Preparation and properties of Co-sputtered amorphous Si_xC_yAl_z:H films.

Co-sputter法によるa-Si_xC_yAl_z:H薄膜の作製と特性

Author (5)： TOMIOKA YUGO (静岡大 電子工研) ,  SAITO NOBUO (静岡大 電子工研) ,  YAMAGUCHI TOMUO (静岡大 電子工研) ,  NAKANISHI YOICHIRO (静岡大 電子工研) ,  KAWAMURA KAZUHIKO (新日本製鉄 第一技研)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 32  Issue： 3  Page： 327-330  Publication year： Mar. 1989 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： simultaneous deposition

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (6)：

• 1) 斎藤順雄, 田中孝彦, 山田武志, 仲秋 勇, 山口十六夫 : 真空, 29 (1986) 251.
• 2) 斎藤順雄 : 真空, 30 (1987) 69.
• 3) H. S. Fortuna, J. M. Marshall : Philos. Mag. B, 53 (1986) 383.
• 4) G. Lucovsky : Solid State Comun. 29 (1979) 571.
• 5) L.Paulling : The Natuer of Chemical Bond (Cornell university, New York, 1960) (小泉正夫訳 : 化学結合論, 共立, 東京, 1962, p.80).

Terms in the title (3)： CO ,  薄膜 ,  作製