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J-GLOBAL ID：200902009337205819   Reference number：88A0564007

a-Si:H/a-SiO_x:H and a-Si:H/a-SiN_x:H interface formation studied by photoemission and soft x-ray absorption.

光電子放出と軟X線吸収によるa-Si:H/a-SiO_x:Hおよびa-Si:H/a-SiN_x:Hの界面形成の研究

Author (6)： EBERHARDT W (Exxon Research and Engineering Co., NJ, USA) ,  ABELES B (Exxon Research and Engineering Co., NJ, USA) ,  FU Z (Exxon Research and Engineering Co., NJ, USA) ,  STASIEWSKI H (Exxon Research and Engineering Co., NJ, USA) ,  YANG L (Exxon Research and Engineering Co., NJ, USA) ,  SONDERICKER D (Brookhaven National Lab., NY, USA)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 6  Issue： 3 Pt.2  Page： 1376-1377  Publication year： May. 1988 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...
Semi thesaurus term： valence band ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

Terms in the title (5)： 光電子放出 ,  軟X線 ,  Si ,  界面 ,  研究