Art

J-GLOBAL ID：200902013268140006   Reference number：90A0200069

830 nm high-power low-noise self-aligned AlGaAs/GaAs double-quantum-well lasers.

830nm大電力低雑音の自己整合AlGaAs/GaAs二重量子井戸レーザ

Author (6)： ISHIKAWA S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  NIDO M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ENDO K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOMAZAKI I (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUKAGAI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YUASA T (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 25  Issue： 20  Page： 1398-1399  Publication year： Sep. 28, 1989 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum well laser ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0200069&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： 大電力 ,  低雑音 ,  自己整合 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  量子井戸レーザ