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J-GLOBAL ID：200902014418316350   Reference number：90A0434257

Reflection electron microscopy study of structural transformations on a clean silicon surface in sublimation, phase transition and homoepitaxy.

昇華,相転移,ホモエピタクシー中の清浄シリコン表面における構造変態の反射電子顕微鏡研究

Author (4)： LATYSHEV A V (Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN) ,  ASEEV A L (Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN) ,  KRASILNIKOV A B (Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN) ,  STENIN S I (Inst. Semiconductor Physics, Academy of Sciences of the USSR, Novosibirsk, SUN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 227  Issue： 1/2  Page： 24-34  Publication year： Mar. 1990 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (7)： 昇華 ,  相転移 ,  ホモエピタクシー ,  シリコン ,  構造変態 ,  反射電子顕微鏡 ,  研究