Art

J-GLOBAL ID：200902014507013514   Reference number：92A0500827

Tantalum as a diffusion barrier between copper and silicon: Failure mechanism and effect of nitrogen additions.

銅とけい素間の拡散障壁としてのタンタル 故障機構と窒素添加の効果

Author (6)： HOLLOWAY K (IBM, New York) ,  FRYER P M (IBM, New York) ,  CABRAL C JR (IBM, New York) ,  HARPER J M E (IBM, New York) ,  BAILEY P J (IBM, New York) ,  KELLEHER K H (IBM, New York)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 71  Issue： 11  Page： 5433-5444  Publication year： Jun. 01, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Copper ,...

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JST classification (3)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  Diffusion in metals  (BL06022C) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Terms in the title (6)： 銅 ,  けい素 ,  拡散障壁 ,  タンタル ,  故障 ,  窒素添加