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J-GLOBAL ID：200902018951798922   Reference number：88A0026964

A brief survey on the interconnection technology of semiconductor devices. Considerable technical points.

半導体デバイスの接続技術とその留意点

Author (1)： OKAMOTO HIDEO (沖エンジニアリング)
Material： Hybrids
Volume： 3  Issue： 4  Page： 2-10  Publication year： Oct. 1987 
JST Material Number： S0579B  ISSN： 0914-2568  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： hybrid integrated circuit ,...

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JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Hydrid integrated circuit  (NC03163K)

Reference (16)：

• 1) K. Ohata and M. Ogawa: “Degradation of Gold-Germanium Ohmic Contact to n-GaAs”, 12th Ann. Proc. Rel. Phys., (1974) , 278-283
• 2) R. Shukla and J. S. Deo: “Reliability Hazards of Silver-Aluminum Substrate Bonds in MOS Devices”, 20th Ann. Proc. Rel. Phys., (1982) 122-127
• 3) K. Katsukawa, Y. Kose, M. Nakamori and S. Sando: “Reliability of Gate Metallization in Power GaAs MESFETs” 22nd Ann. Proc. Rel. Phys., (1984) , 59-62
• 4) 沖エンジニアリング (株) 編: 電子デバイス・部品の評価-物理的見地から-, 4月, (1986)
• 5) 例えば, 平木昭夫: 半導体/金属接合界面の構造と形成過程-主としてSi-金属系について-, 日本金属学会会報, 第24巻, 第2号, (1985) , 144-150

Terms in the title (2)： 半導体デバイス ,  留意