Art

J-GLOBAL ID：200902020931237562   Reference number：88A0216884

Wet hydrogen oxidation in the presence of molybdenum and tungsten for VLSI applications.

VLSIに応用のためのモリブデンおよびタングステンの存在における湿水素酸化

Author (3)： KWASNICK R F (General Electric Co., NY, USA) ,  GORCZYCA T B (General Electric Co., NY, USA) ,  WOODRUFF D W (General Electric Co., NY, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 135  Issue： 1  Page： 176-179  Publication year： Jan. 1988 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： VLSI ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Terms in the title (6)： VLSI ,  応用 ,  モリブデン ,  タングステン ,  水素 ,  酸化