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J-GLOBAL ID：200902021815932128   Reference number：92A0499956

The role of dislocation-dislocation interactions in the relaxation of pseudomorphically strained semiconductors. I. Theory.

仮像的にひずませた半導体中の転位-転位相互作用の役割 I 理論

Author (4)： STIFFLER S R (IBM Thomas J. Watson Research Center, New York) ,  STANIS C L (IBM Thomas J. Watson Research Center, New York) ,  GOORSKY M S (IBM Thomas J. Watson Research Center, New York) ,  CHAN K K (IBM Thomas J. Watson Research Center, New York)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 71  Issue： 10  Page： 4814-4819  Publication year： May. 15, 1992 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： pseudomorph ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： 仮像 ,  転位 ,  転位相互作用 ,  役割 ,  理論