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J-GLOBAL ID：200902022374213119   Reference number：89A0617164

Selective area crystallization of amorphous silicon films by low-temperature rapid thermal annealing.

低温急速熱処理による非晶質シリコン膜の選択領域結晶化

Author (2)： LIU G (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  FONASH S J (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 55  Issue： 7  Page： 660-662  Publication year： Aug. 14, 1989 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： plasma CVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 低温 ,  急速熱処理 ,  非晶質 ,  シリコン膜 ,  結晶化