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J-GLOBAL ID：200902024518440614   Reference number：89A0454168

Application of SIMOX technology to device isolation.

SIMOX技術の素子分離への応用

Author (1)： IZUMI KATSUTOSHI (NTT LSI研)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 58  Issue： 8  Page： 1202-1211  Publication year： Aug. 1989 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： SOI structure ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Reference (32)：

• 1) Y. Nishi and H. Hara: Proc. 9th Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1977, Jpn. J. Appl. Phys. 17 (1978) Suppl. 17-1, p. 27.
• 2) K. Izumi, M. Doken and H. Ariyoshi: Electron. Lett. 14 (1978) 593.
• 3) 古川静二郎;テレビジョン学会誌 36 (1982) 1060.
• 4) 古川静二郎:第30回応用物理学関係連合講演会予稿集 (1983) p. 668.
• 5) 古川静二郎:応用物理 53 (1984) 27.

Terms in the title (3)： SIMOX ,  素子分離 ,  応用