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J-GLOBAL ID：200901004615251996   Update date: Apr. 17, 2024

Izumi Katsutoshi

イズミ カツトシ | Izumi Katsutoshi
Homepage URL  (1)： http://tokachi.riast.osakafu-u.ac.jp/%7Esentan3/home.html
Research field  (3)： Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Semiconductors, optical and atomic physics
Research keywords  (5)： 電子-光融合デバイス ,  GaN/SiC-OI ,  SiC-OI ,  LSI ,  SOI
Research theme for competitive and other funds  (8)：
  • 1999 - 電子-光融合デバイスの研究
  • SiC-on-Insulator構造基板の実用化
  • 電子-光融合デバイスの研究
  • SOIによるLSI設計法の研究
  • SOI基板高品質化の研究
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MISC (9)：
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Books (1)：
  • Current Status of SIMOX Technology-High-Quality ITOX-SIMOX Wafers and Their Application to Quarter-Micron CMOS LSIs-
    Proceeding of the 6th Int'l Symp. on ULSI Science and Technology, Electrochemical Society 1997
Works (20)：
  • 極薄SiC-OI基板を用いた単結晶SiC基板製作に関する基礎研究
    2005 -
  • 高品質SiCエピタキシャル成長技術に関する研究
    2004 -
  • センサー用デジタル・シグナル・プロセッサの研究
    2003 -
  • Si(111)によるSIMOX(111)基板の形成と評価に関する研究
    2002 -
  • デスクトップSIMS装置の性能向上に関する研究
    2000 -
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Education (4)：
  • - 1972 Nagoya Institute of Technology
  • - 1972 Nagoya Institute of Technology Graduate School, Division of Engineering
  • - 1970 Nagoya Institute of Technology Faculty of Engineering
  • - 1970 Nagoya Institute of Technology Faculty of Engineering
Professional career (1)：
  • (BLANK) (Tokyo Institute of Technology)
Work history (15)：
  • 1999 - - 大阪府立大学 教授
  • 1999 - - Osaka prefecture University, Professor
  • 1997 - 1998 Nagoya Institute of Technology
  • 1997 - 1998 Nagoya Institute of Technology, Part-Time Instructor
  • 1996 - 1998 日本電信電話株式会社 プロジェクト・リーダ主席研究員
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Awards (6)：
  • 2002 - 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエテイ賞
  • 2001 - IEEE Daniel E. Noble Award "For Pioneering Development of Separation by Implanted Oxygen (SIMOX) Technology"
  • 2001 - IEEE Daniel E. Noble Award
  • 1996 - 国際固体素子・材料コンファレンス賞(SSDM'96 Award)
  • 1994 - 科学技術庁長官賞
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Association Membership(s) (6)：
電気学会 ,  材料研究学会(MRS) ,  電子情報通信学会 ,  電気化学学会(ECS) ,  国際電気電子工学者協会(IEEE) ,  応用物理学会
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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