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J-GLOBAL ID：200902025027851767   Reference number：89A0361028

Surface diffusion during MBE growth of GaAs-AlGaAs single quantum wells on vicinal surfaces.

微斜面上のGaAs-AlGaAs単一量子井戸のMBE成長中の表面拡散

Author (6)： KANAMOTO K (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  FUJIWARA K (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  TOKUDA Y (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  TSUKADA N (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  ISHII M (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  NAKAYAMA T (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 95  Issue： 1/4  Page： 273-276  Publication year： Feb. 1989 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： LQC構造 ,...

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JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 微斜面 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  単一量子井戸 ,  MBE成長 ,  表面拡散