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J-GLOBAL ID：200902027277866339   Reference number：91A0678724

Controlled growth of 3C-SiC and 6H-SiC films on low-tilt-angle vicinal (0001) 6H-SiC wafers.

低傾角(0001)6H-SiCウエハ上への3C-SiCと6H-SiC膜の制御成長

Author (9)： POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  PETIT J B (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  EDGAR J H (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  JENKINS I G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  YANG J W (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  CLEMEN L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YOGANATHAN M (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 59  Issue： 3  Page： 333-335  Publication year： Jul. 15, 1991 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 傾角 ,  6H-SiC ,  ウエハ ,  3C-SiC ,  成長