Art

J-GLOBAL ID：200902031178200334   Reference number：87A0079235

Growth of GaAs/AlGaAs quantum well structures using a large-scale MOCVD reactor.

大型のMOCVD炉を用いたGaAs/AlGaAs量子井戸構造の成長

Author (5)： OCHI S (Mitsubishi Electric Co., Itami, JPN) ,  HAYAFUJI N (Mitsubishi Electric Co., Itami, JPN) ,  KAJIKAWA Y (Mitsubishi Electric Co., Itami, JPN) ,  MIZUGUCHI K (Mitsubishi Electric Co., Itami, JPN) ,  MUROTANI T (Mitsubishi Electric Co., Itami, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 77  Issue： 1/3  Page： 553-557  Publication year： Sep. 1986 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0079235&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

JST classification (2)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 大型 ,  MOCVD ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  成長