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J-GLOBAL ID：200902034681071109   Reference number：90A0530587

Temperature dependence of InGaP, InAlP, and AlGaP growth in metalorganic molecular-beam epitaxy.

有機金属分子線エピタクシ成長におけるInGaP,InAlPおよびAlGaPの温度依存性

Author (3)： OZASA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  YURI M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 102  Issue： 1/2  Page： 31-42  Publication year： Apr. 1990 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 有機金属分子線エピタクシ ,  成長 ,  InGaP ,  温度依存性