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J-GLOBAL ID：200902036721794357   Reference number：84A0030742

Metal-insulator transition in a doped semiconductor.

ドープした半導体の金属-絶縁体転移

Author (6)： ROSENBAUM T F (Bell Lab., New Jersey) ,  MILLIGAN R F (Bell Lab., New Jersey) ,  PAALANEN M A (Bell Lab., New Jersey) ,  THOMAS G A (Bell Lab., New Jersey) ,  BHATT R N (Bell Lab., New Jersey) ,  LIN W (Bell Lab., Pennsylvania)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 27  Issue： 12  Page： 7509-7523  Publication year： Jun. 15, 1983 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Mott transition ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Metal-insulator transitions  (BM02110T) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (2)： ドープ ,  金属-絶縁体転移