Art

J-GLOBAL ID：200902038385184203   Reference number：91A0854460

Effects of dc bias on the kinetics and electrical properties of silicon dioxide grown in an electron cyclotron resonance plasma.

電子サイクロトロン共鳴プラズマ中で成長させた二酸化けい素のカイネティクスと電気的特性に及ぼすdcバイアスの効果

Author (4)： CARL D A (Univ. California, California) ,  HESS D W (Univ. California, California) ,  LIEBERMAN M A (Univ. California, California) ,  NGUYEN T D (Univ. California, California)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 70  Issue： 6  Page： 3301-3313  Publication year： Sep. 15, 1991 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： cyclotron resonance ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=91A0854460&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (6)： 電子サイクロトロン共鳴プラズマ ,  成長 ,  二酸化けい素 ,  電気的特性 ,  DC ,  バイアス