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J-GLOBAL ID：200902038553485699   Reference number：86A0424960

Laser induced etching of III-V compound semiconductors.

III-V族化合物半導体のレーザー誘起エッチング

Author (3)： TAKAI MIKIO (大阪大基礎工) ,  GAMO KENJI (大阪大基礎工) ,  NAMBA SUSUMU (大阪大基礎工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 55  Issue： 8  Page： 805-810  Publication year： Aug. 1986 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Techniques for samples  (BA02070O) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (30)：

• 1) D. J. Ehrlich, R. M. Osgood, Jr. and T. F. Deutsch: Appl. Phys. Lett. 38 (1981) 1018.
• 2) J. Y. Tsao and D. J. Ehrlich: Appl. Phys. Lett.43 (1983) 146.
• 3) M. Takai, J. Tokuda, H. Nakai, K. Gamo and S. Namba: Jpn. J. Appl. Phys. 22 (1983) L757.
• 4) K. Gamo, Y. Ochiai and S. Namba: Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) L 792.
• 5) D. J. Ehrlich, R. M. Osgood, Jr. and T. F. Deutsch: Appl. Phys. Lett. 36 (1980) 698.

Terms in the title (3)： III-V族化合物半導体 ,  レーザー誘起 ,  エッチング