Art

J-GLOBAL ID：200902045550005552   Reference number：85A0256018

Secondary electron effect on electric potential of insulator surface during ion implantation.

イオン注入中の絶縁体表面の電位に対する二次電子の影響

Author (5)： YOSHIZAWA M (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  MIYAKE M (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  HARADA H (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  KIUCHI K (Atsugi Electrical Communication Lab.) ,  TAZAWA S (Atsugi Electrical Communication Lab.)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 132  Issue： 3  Page： 680-684  Publication year： Mar. 1985 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： LSI ,...

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Auger and secondary electron emission  (BM09040O)

Terms in the title (5)： イオン注入 ,  絶縁 ,  体表面 ,  電位 ,  二次電子