Art

J-GLOBAL ID：200902049541547526   Reference number：92A0229069

Heteroepitaxial growth of conductive and insulating films on semiconductor substrates.

導電性・絶縁性材料と半導体とのヘテロエピタキシャル成長

Author (2)： ISHIHARA HIROSHI (東京工大 精密工研) ,  FURUKAWA SEIJIRO (東京工大 大学院 総合理工学研究科)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 61  Issue： 2  Page： 104-116  Publication year： Feb. 1992 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： パーミアブルトランジスタ

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JST classification (4)： Metallic thin films  (BK14030T) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (134)：

• TUNG, R. T. Silicon Molecular Beam Epitaxy. 1988, 2, 13
• TUNG, R. T. Atomic Level Properties of Interface Materials
• PHILLIPS, J. M. Silicon Molecular Beam Epitaxy. 1988, 1, 135
• 古川静二郎. SOI構造形成技術. 1987
• FURUKAWA, S. Proc. Int. Conf. Solid State Devices, Tokyo, 1982. Jpn. J. Appl. Phys. 1983, 22 Suppl. 22-1, 21

Terms in the title (3)： 導電性 ,  絶縁性材料 ,  成長