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J-GLOBAL ID：200902051128357608   Reference number：92A0718715

50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GaInAs High Electron Mobility Transistors.

50nm自己整合ゲート疑似形態AlInAs/GaInAs高電子移動度トランジスタ

Author (4)： NGUYEN L D (Hughes Research Lab., CA) ,  BROWN A S (Hughes Research Lab., CA) ,  THOMPSON M A (Hughes Research Lab., CA) ,  JELLOIAN L M (Hughes Research Lab., CA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 39  Issue： 9  Page： 2007-2014  Publication year： Sep. 1992 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 自己整合 ,  ゲート ,  形態 ,  AlInAs ,  GaInAs ,  高電子移動度トランジスタ