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J-GLOBAL ID：200902053243489561   Reference number：88A0558489

Application of reflectance difference spectroscopy to molecular-beam epitaxy growth of GaAs and AlAs.

GaAsおよびAlAsの分子ビームエピタキシャル成長での反射差分光法の利用

Author (4)： ASPNES D E (Bellcore, NJ, USA) ,  HARBISON J P (Bellcore, NJ, USA) ,  STUDNA A A (Bellcore, NJ, USA) ,  FLOREZ L T (Bellcore, NJ, USA)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 6  Issue： 3 Pt.2  Page： 1327-1332  Publication year： May. 1988 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： 反射差分光法

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (3)： GaAs ,  AlAs ,  分子ビームエピタキシャル成長