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J-GLOBAL ID：200902054699454081   Reference number：92A0573266

Anomalous behavior of a quantized Hall plateau in a high-mobility Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.

高移動度Siの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける量子化Hallプラトーの異状な挙動

Author (4)： YOSHIHIRO K (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  VAN DEGRIFT C T (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  CAGE M E (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  YU D (National Inst. Standards and Technology, Maryland)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 45  Issue： 24  Page： 14204-14214  Publication year： Jun. 15, 1992 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

Terms in the title (7)： 高移動度 ,  Si ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  量子化 ,  異状 ,  挙動