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J-GLOBAL ID：200902055577164747   Reference number：90A0919849

Characteristics of doped a-Si:H films deposited by ECR plasma CVD. (IV).

ECRプラズマCVD法によるa-Si:H膜のドーピング特性 (IV)

Author (4)： MURAI HIROYUKI (三菱電機 材研) ,  HAYAMA MASAHIRO (三菱電機 材研) ,  KOBAYASHI KAZUHIRO (三菱電機 材研) ,  KUROKAWA HIROSHI (三菱電機 材研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 51st  Issue： 2  Page： 726  Publication year： Sep. 1990 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： ECRプラズマ ,  CVD法 ,  Si ,  ドーピング