Art

J-GLOBAL ID：200902055609912422   Reference number：90A0415121

Growth of improved quality 3C-SiC films on 6H-SiC substrates.

6H-SiC基板上への膜質を改善した3C-SiC膜の成長

Author (9)： POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  LARKIN D J (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  BRADSHAW J L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  HENDERSON L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YOGANATHAN M (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YANG J (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  PIROUZ P (Case Western Reserve Univ., Ohio)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 56  Issue： 14  Page： 1353-1355  Publication year： Apr. 02, 1990 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0415121&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 6H-SiC ,  膜質 ,  3C-SiC ,  成長