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J-GLOBAL ID：200902056656928597   Reference number：92A0087722

Efficient photo-enhancement of GaP and AlGaP growth in chemical beam epitaxy.

化学ビームエピタクシーで成長させたGaPおよびAlGaPの有効な光促進

Author (3)： YOSHIMOTO M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CZASA K (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 70  Issue： 10 Pt 1  Page： 5708-5709  Publication year： Nov. 15, 1991 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...
Semi thesaurus term： chemical beam epitaxy

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： 化学ビームエピタクシー ,  成長 ,  GAP ,  促進