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J-GLOBAL ID：200902059454043487   Reference number：81A0245740

General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes.

各種の炭化けい素ポリタイプの大型単結晶を育成するための一般的原理

Author (2)： TAIROV Yu M (Leningrad V.I. Ulyanov (Lenin) Electrotechnical Inst., USSR) ,  TSVETKOV V F (Leningrad V.I. Ulyanov (Lenin) Electrotechnical Inst., USSR)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 52  Issue： 1  Page： 146-150  Publication year： Apr. 1981 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 炭化けい素 ,  ポリタイプ ,  大型 ,  単結晶 ,  原理