Art

J-GLOBAL ID：200902063944612622   Reference number：90A0655218

Determination of interface trap capture cross sections using three-level charge pumping.

3準位電荷ポンピングによる界面トラップ捕獲断面積の求め方

Author (2)： SAKS N S (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  ANCONA M G (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 11  Issue： 8  Page： 339-341  Publication year： Aug. 1990 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： 電荷ポンピング ,  界面トラップ ,  捕獲断面積