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J-GLOBAL ID：200902065273628432   Reference number：89A0342467

High-quality optical and epitaxial Ge films formed by laser evaporation.

レーザ蒸発で作った高品質の光学用エピタキシャル成長Ge膜

Author (4)： SANKUR H (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  GUNNING W J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  DENATALE J (Rockwell International Science Center, CA, USA) ,  FLINTOFF J F (Rockwell International Science Center, CA, USA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 65  Issue： 6  Page： 2475-2478  Publication year： Mar. 15, 1989 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： laser irradiation ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： レーザ ,  蒸発 ,  高品質 ,  光学 ,  エピタキシャル成長 ,  Ge