Art

J-GLOBAL ID：200902065975355868   Reference number：87A0163477

Effect of substrate orientation on the photoluminescence of GaAs on Si.

Si上のGaAsの光ルミネセンスに及ぼす基板の方位の影響

Author (6)： KAJIKAWA Y (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  OCHI S (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  HAYAFUJI N (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  MIZUGUCHI K (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  HIRANO R (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN) ,  MUROTANI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami, JPN)
Material： Extended Abstracts of the 18th (1986 International) Conference on Solid State Devices and Materials  (Ext Abstr 18th (1986 Int) Conf Solid State Devices Mater)
Page： 125-128  Publication year： 1986 
JST Material Number： K19860706  ISBN： 4-930813-14-X  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： Si ,  GaAs ,  光ルミネセンス ,  方位