Art

J-GLOBAL ID：200902067311109323   Reference number：86A0349445

Temperature distribution of silicon-on-insulator systems during recrystallization processing.

再結晶過程での絶縁体上シリコン系の温度分布

Author (2)： MIAOULIS I N (Massachusetts Inst. Technology) ,  MIKIC B B (Massachusetts Inst. Technology)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 59  Issue： 5  Page： 1663-1666  Publication year： Mar. 01, 1986 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor junction ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 再結晶 ,  過程 ,  絶縁体 ,  シリコン ,  温度分布