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J-GLOBAL ID：200902067413103060   Reference number：90A0584921

Efficient modeling parameter extraction for dual pearson approach to simulation of implanted impurity profiles in silicon.

シリコン中の注入不純物分布をシミュレーションする二重Pearson法のモデリングパラメータの効率のよい抽出法

Author (3)： PARK C (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  KLEIN K M (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  TASCH A F (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
Material： Solid-State Electronics  (Solid-State Electron)
Volume： 33  Issue： 6  Page： 645-650  Publication year： Jun. 1990 
JST Material Number： H0225A  ISSN： 0038-1101  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (7)： シリコン ,  注入 ,  不純物分布 ,  シミュレーション ,  モデリング ,  パラメータ ,  抽出法