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J-GLOBAL ID：200902071112224277   Reference number：88A0376950

Low-temperature reactive ion etching and microwave plasma etching of silicon.

シリコンの低温反応性イオンエッチングおよびマイクロ波プラズマエッチング

Author (3)： TACHI S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TSUJIMOTO K (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKUDAIRA S (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 52  Issue： 8  Page： 616-618  Publication year： Feb. 22, 1988 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： 低温プラズマ加工 ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (5)： シリコン ,  低温 ,  反応性イオンエッチング ,  マイクロ波プラズマ ,  エッチング