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J-GLOBAL ID：200902071937857051   Reference number：85A0344879

Epitaxial growth of β-SiC single crystals by successive two-step CVD.

連続2段のCVD法によるβ-SiC単結晶のエピタキシャル成長

Author (6)： SUZUKI A (Sharp Corp., Tenri) ,  FURUKAWA K (Sharp Corp., Tenri) ,  HIGASHIGAKI Y (Sharp Corp., Tenri) ,  HARADA S (Sharp Corp., Tenri) ,  NAKAJIMA S (Sharp Corp., Tenri) ,  INOGUCHI T (Sharp Corp., Tenri)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 70  Issue： 1/2  Page： 287-290  Publication year： Dec. 1984 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (4)： CVD法 ,  SiC ,  単結晶 ,  エピタキシャル成長